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當(dāng)前位置:首頁  >  技術(shù)文章

  • 2025

    5-20

    層流壓差式氣體質(zhì)量流量控制器(MFC)是一種基于流體力學(xué)原理的高精度控制裝置,通過層流元件將氣體從湍流整流成層流,氣體在層流狀態(tài)下,壓差和流量成線性關(guān)系,通過測量壓差來計算流量,其顯著特點(diǎn)如下:層流壓差原理與線性特性通過層流元件使氣體形成穩(wěn)定層流,流量與壓差呈線性關(guān)系,確保高精度測量(通常±1%以內(nèi))和直接計算,無需復(fù)雜算法。寬量程比(高動態(tài)范圍)量程比可達(dá)100:1以上,支持從極低到高流量的寬范圍控制,適應(yīng)多樣化工況需求。低壓力損失層流元件設(shè)計優(yōu)化流道,減少壓...

  • 2025

    5-19

    在工業(yè)氣體混合、半導(dǎo)體制造、環(huán)境監(jiān)測及化工生產(chǎn)等領(lǐng)域,配氣系統(tǒng)的核心任務(wù)是將多種氣體按預(yù)設(shè)比例精確混合。其中,層流壓差式質(zhì)量流量控制器(MassFlowController,MFC)因其高精度、快速響應(yīng)和穩(wěn)定性,成為實(shí)現(xiàn)氣體精準(zhǔn)配比的關(guān)鍵設(shè)備。層流壓差式質(zhì)量流量控制器的工作原理1.基于層流流動的流量檢測層流壓差式MFC的核心原理基于流體力學(xué)中的層流特性。當(dāng)氣體流經(jīng)一段精密加工的毛細(xì)管或?qū)恿髟r,在低流速下會形成穩(wěn)定的層流狀態(tài)。2.閉環(huán)控制實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)調(diào)節(jié)層流壓差式MFC采用閉環(huán)...

  • 2025

    5-16

    層流壓差式流量計的核心原理手持便攜式數(shù)顯氣體質(zhì)量流量計的核心技術(shù)基于層流壓差式原理,其物理基礎(chǔ)是哈根-泊肅葉定律。該定律描述了流體在層流狀態(tài)下,體積流量與壓差、粘度之間的線性關(guān)系。手持便攜式層流壓差流量計憑借其高精度與便攜性,在大氣環(huán)保監(jiān)測中發(fā)揮重要作用:痕量污染物采樣需求:可測量16.7升的體積流量,監(jiān)測PM2.5、SO?、NOx等污染物時,流量穩(wěn)定性需控制在±1%以內(nèi),以避免數(shù)據(jù)偏差。應(yīng)用:通過內(nèi)置溫度補(bǔ)償算法(適應(yīng)-20℃~60℃環(huán)境),確保采樣泵流量穩(wěn)定...

  • 2025

    5-15

    氣體質(zhì)量流量控制器(MFC)在微波等離子體化學(xué)氣相沉積(MPCVD)設(shè)備中扮演著關(guān)鍵角色,其核心功能是實(shí)現(xiàn)對反應(yīng)氣體流量的高精度控制,從而確保薄膜沉積的質(zhì)量和工藝穩(wěn)定性。MPCVD工藝流程中的關(guān)鍵控制需求?反應(yīng)氣體精準(zhǔn)調(diào)控?需精確控制硅烷(SiH?)、甲烷(CH?)、氫氣(H?)等氣體流量,誤差需≤±1%F.S.,以保障金剛石薄膜的均勻沉積速率和結(jié)晶質(zhì)量46。例如,硅烷流量波動超過閾值會導(dǎo)致晶格缺陷率上升。?高純度氣體處理?對氣體純度要求可達(dá)6N級(99.999...

  • 2025

    5-14

    緊湊型小尺寸層流壓差式質(zhì)量流量控制器(MFC)憑借其高精度、快速響應(yīng)和適應(yīng)性強(qiáng)等特點(diǎn),在多個工業(yè)與科研領(lǐng)域中成為關(guān)鍵設(shè)備。半導(dǎo)體制造在半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)過程中,氣體流量控制的精度直接影響薄膜沉積、刻蝕等工藝的穩(wěn)定性。緊湊型層流壓差式MFC因其小尺寸優(yōu)勢,可集成于高密度設(shè)備布局的潔凈室中,例如:化學(xué)氣相沉積(CVD):精準(zhǔn)控制硅烷(SiH?)、氨氣(NH?)等反應(yīng)氣體,確保納米級薄膜均勻性,精度可達(dá)±0.5%讀數(shù),滿足高效電池(如TOPCon、HJT)的制造需求。等離...

  • 2025

    5-13

    在工業(yè)自動化控制領(lǐng)域,層流壓差式質(zhì)量流量控制器(MassFlowController,MFC)是精確測量和控制氣體流量的核心設(shè)備。而在易燃易爆的危險環(huán)境中,IIC防爆型質(zhì)量流量控制器憑借其高安全性和技術(shù)優(yōu)勢,占據(jù)了石油化工、窯爐、半導(dǎo)體制造、新能源等領(lǐng)域的核心市場。層流壓差原理是質(zhì)量流量控制器實(shí)現(xiàn)高精度流量控制的基礎(chǔ)。其核心在于當(dāng)氣體通過層流元件時,流體會處于層流狀態(tài)(雷諾數(shù)較低),此時流體內(nèi)部的速度分布呈拋物線形,壓差與體積流量呈線性關(guān)系。通過測量層流元件兩端的壓差,結(jié)合流...

  • 2025

    5-9

    層流壓差式防爆型的質(zhì)量流量控制器的工藝結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)耐腐蝕材料與密封優(yōu)化材料選擇:采用316L不銹鋼流道,其低碳含量與鉬元素增強(qiáng)了抗點(diǎn)蝕和晶間腐蝕能力,適用于Cl?、H?S等腐蝕性介質(zhì)環(huán)境。密封技術(shù):關(guān)鍵密封點(diǎn)使用FFKM全氟醚橡膠或PTFE材質(zhì),耐受強(qiáng)酸、強(qiáng)堿及有機(jī)溶劑,漏率控制在1×10?10Pa·m3/s以下,避免介質(zhì)泄漏導(dǎo)致的部件失效。層流元件與傳感技術(shù)層流元件:強(qiáng)制流體進(jìn)入雷諾數(shù)Re雙通道壓差傳感:結(jié)合溫度補(bǔ)償模塊修正粘度變化誤差,典型精度可達(dá)±0.5%讀...

  • 2025

    5-7

    質(zhì)量流量控制器(MassFlowController,MFC)在原子層沉積(AtomicLayerDeposition,ALD)設(shè)備中扮演著關(guān)鍵角色,其高精度、快速響應(yīng)和穩(wěn)定性對實(shí)現(xiàn)ALD工藝的高質(zhì)量薄膜沉積至關(guān)重要。前驅(qū)體氣體的精確控制脈沖式氣體注入:ALD工藝基于交替的前驅(qū)體氣體脈沖注入(如金屬有機(jī)化合物、反應(yīng)氣體等)。MFC需在極短時間內(nèi)(毫秒級)精確控制氣體流量,確保每個脈沖的氣體量一致,從而實(shí)現(xiàn)單原子層的逐層沉積。流量穩(wěn)定性:MFC通過閉環(huán)反饋系統(tǒng)實(shí)時調(diào)節(jié)流量,避免...

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